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MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,肖特基二极管代理,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,辽宁肖特基二极管,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,低压降 肖特基二极管,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,三脚肖特基二极管检测,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
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分析过的元器件种类:
集成电路、场效应管、二极管、发光二极管、三极管、晶闸管、电阻、电容、电感、继电器、连接器、光耦、晶振等各种有源/无源器件。
、常用失效分析技术手段电测:
连接性测试
电参数测试
功能测试
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