大功率低压mos管

肖特基二极管PFC——PFR10L150CTF

电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象，分辨其失效模式和失效机理，低压mos60V，确认最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议，防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。

分析过的元器件种类：

集成电路、场效应管、二极管、发光二极管、三极管、晶闸管、电阻、电容、电感、继电器、连接器、光耦、晶振等各种有源/无源器件。

MOS管种类和结构PRM028N04D

1，MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，低压mos80V，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，东莞低压mos，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，大功率低压mos管，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，

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