高频低阻电解电容价格

东莞市卓旺电子科技有限公司成立于2010年，是专业从事铝电解电容器产品生产经营的高新技术企业。公司拥有自主品牌“Zhuohao”，生产超小型、普通型、低漏电型、高频低阻、高浪涌抗雷击、无极性等系列铝电解电容器，欢迎您的来电！

在二极管上并电容C或RC

左图是实际用二极管的等效电路。二极管高速导通截止时，要考虑寄生参数。在二极管反向恢复期间，等效电感和等效电容成为一个RC振荡器，产生高频振荡。为了抑制这种高频振荡，需在二极管两端并联电容C或RC缓冲网络。电阻一般取10Ω-100 Ω，电容取4.7pF-2.2nF。

详细的解释可参考资料1和2。

在二极管上并联的电容C或者RC，其取值要经过反复试验才能确定。如果选用不当，高频低阻电解电容生产厂家，反而会造成更严重的振荡。

二极管后接电感（EMI滤波）

这也是常用的抑制高频噪声的方法。针对产生噪声的频率，选择合适的电感元件，同样能够有效地抑制噪声。需要注意的是，电感的额定电流要满足实际的要求。比较简单的做法，不再详细解释。

小结

以上是关于开关电源纹波，总结的一些内容，如果能加些波形就更好了。虽然可能不太全，但对一般的应用已经足够了。关于噪声抑制，实际中并不一定全部应用，重要的是根据自己的设计要求，比如产品体积，成本，开发周期等，选择合适的方法。虽然这个实操过程总结，不算是很精通，但也是大部分讲述了关于开关电源波纹输出情况的原理与抑制方法.

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每个集成运放的电源引线，一般都应采用去偶旁路措施，如图所示图中的高频旁路电容，通常可选用高频性能优良的陶瓷电容，其值约为0.1μF。或采用lμF的钽电容。这些电容的内电感值都较小。在运放的高速应用时，旁路电容C1和C2应接到集成运放的电源引脚上，引线尽量短，这样可以形成低电感接地回路。

注：当所使用的放大器的增益带宽乘积大于10MHz时，应采用更严格的高频旁路措施，此时应选用射频旁路电容，对于通用集成芯片，对旁路的要求不高，但也不能忽视，通常最i好每4～5个器件加一套旁路电容。不论所用集成电路器件有多少，每个印刷板都要至少加一套旁路电容。

在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：

●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小(0.5uA以下)。

●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。

在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：

●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小(0.5uA以下)。

●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：

●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小(0.5uA以下)。

●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线

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LED灯具里的环境温度是多少？

因为在很多灯具里LED和电解电容是放在同样的外壳里，简单来说二者的环境温度是一样的。而这个环境温度主要是由LED和电源的发热和散热平衡以后决定的。而且每个LED灯具的发热和散热的情况是不一样的，那么我们怎么能够知道其中的环境温度呢？

其实这个问题可以反过来推算，也就是一个设计得好的LED灯具，它所允许的内部环境温度应该是一定的。这是因为LED芯片的结温是决定LED芯片光衰（寿命）的主要原因，LED结温当然也由其环境温度有关，所以只要知道允许的LED结温，高频低阻电解电容，也就可以推算出LED灯具内部的环境温度。但是其间还有至少三个热阻，就是LED芯片结到外壳的热阻θjc，和LED外壳到铝基板表面的热阻，其实其中经过了焊锡、铜箔、和绝缘层再到铝板，不过其中最主要的是绝缘层的热阻，统称为θlv，第三个就是铝板到泡壳内空气的热阻θla。

就拿3014型LED来说吧，它本身的热阻θjc是90℃/W，因为它的功率只有0.1W，所以内外温差也就是9℃。铝基板的热阻是1℃/W，对于一个10W的灯具由于所有10W的LED都是安装在同一块铝基板上的，所以它的总温差就是10℃，总共为19℃的温差，最后的θla很难估计，因为它和空气是否流通有关，在内部空气不流动的情况下，其温差大概只有1℃左右，所以加起来总共是20℃，。也就是说，LED结温等于环境温度加上20℃。

那么泡壳内的环境温度能够允许105度吗？只要看一下下面的一个图片就知道了。那是美国Cree公司有关LED芯片结温和光衰之间的关系。

如果环境温度是105℃，那么还至少要加上20℃才是结温，高频低阻电解电容价格，所以结温就大约是125℃。在这个曲线上已经查不到了，只能大致地估算其寿命只有4，000小时。这是绝dui不能接受的！也就是说，LED泡壳里的环境温度必须大大低于105℃！

我们可以反过来根据所要求的LED寿命来看其环境温度应该是多少。假定我们要求LED的寿命是100，000小时，那么它的结温只能是低于65℃，所以环境温度就必须低于45℃.也就是说，电解电容的工作环境温度必须低于45℃。

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