半导体探测器供应商

半导体探测器

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，集科研、生产于一体，半导体探测器用途，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，制造核电子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

P-N结半导体探测器的类型扩散结(Diffused Junction)型探测器采用扩散工艺——高温扩散或离子注入[2]  ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。金硅面垒(Surface Barrier)探测器一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。

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P-N结半导体探测器

工作原理多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，半导体探测器供应商，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率[4]  。在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。反向电压形成的电场与内电场方向一致。在外加反向电压时的反向电流：少子的扩散电流，结区面积不变，IS 不变；结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG 增大；反向电压产生漏电流 IL ，主要是表面漏电流。

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