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1986年美国威斯康辛大学开发了一种新技术．即将被处理物体置于等离子环境中，外加高电压脉冲，从而可在三维形状物体表面注入离子。此项技术的全称是Plasma Source Ion Implantation，简称PSII技术。1993年9月。在日本金泽市召开的SMMID93国际会议上。由J R Conrad博士发表特别讲演．shou次将该项技术介绍到日本。从1998～2000年，日本组织产业界、高等院校和研究机构通力合作，经过3年反复试验研究．终于在PSII基础上开发出一种全新的涂层技术。即Hybrid Pulse Plasma Coating系统。简称HPPC技术。

PSII技术是在被加工物体处于静止状态(无自转和公转)时，在其三维复杂形状的表面注入离子，从而达到改善表面物质性能的效果。PSII技术的原理是：对置于等离子环境中的物体外加负值高电压，以在物体附近形成无电子包层，钨钢铣刀，通过该包层外加高电压。使等离子端部的离子被垂直注入于物体表面。新开发的HPPC系统中，其真空容器的内部容积为1m3，负值高电压脉冲的外加电压为20kV．脉冲宽度为5～20μs。HPPC系统中，原料气体的脉冲化、高密度脉冲等离子的形成、外加高电压脉冲的施加、真空排气等均由脉冲控制。

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