电解电容批发

寿命影响因素分析

　　除了非正常的失效，电解电容生产厂家，电解电容的寿命与温度有指数级的关系。因使用非固态电解液，电解电容的寿命还取决于电解液的蒸发速度，由此导致的电气性能降低。这些参数包括电容的容值，漏电流和等效串联电阻（ESR）。

　　预计寿命的公式：

　　PLOSS = (IRMS)瞲 ESR　（1）

　　Th = Ta + PLOSS x Rth　 （2）

　　Lop = A x 2　 Hours　（3）

　　B = 参考温度值（典型值为85 ℃）

　　A = 参考温度下的电容寿命（根据电容器直径的不同而变化）

　　C = 导致电容寿命减少一半所需的温升度数

　　从上面的公式中，我们可以明显的看到，影响电解电容寿命的几个直接因素：纹波电流(IRMS)和等效串联电阻值（ESR）、环境温度（Ta）、从热点传递到周围环境的总的热阻（Rth）。电容内部温度zui高的点，叫热点温度（Th）。热点温度值是影响电容工作寿命的主要因素。而下列因素又决定了热点温度值实际应用中的外界温度（环境温度Ta）， 从热点传递到周围环境的总的热阻（Rth）和由交流电流引起的能量损耗（PLOSS）。电容的内部温升与能量损耗成线形关系。

　　电容充放电时，电流在流过电阻时会引起能量损耗，电压的变化在通过电介质时也会引起能量损耗，再加上漏电流造成的能量损耗，所有的这些损耗导致的结果是电容内部温度升高。

  作为开关电源的输出整流滤波电容器，卧式电解电容往往是首要的选择，铝电解电容器的电容量完全可以满足要求，而ESR则相对比较高。可以通过多只并联的方法降低ESR。也可以选择更大的电容量来降低ESR

　 　ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电容供应商都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如FPGA、DSP、RAM系列的供电电压都是很低，有的电路电 压小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算， 这些设备对电流的要求就越来越高了。

　　比如在电脑主板上，企石电解电容，例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是 1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了 前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压 应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。

　　此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更 大。例如对于3.3V的MCU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对用于1.8V供电的FPGA、DSP而言，电解电容批发，同样是 0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。

　　那么ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示：

　　V=R(ESR)×I

　　这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调低ESR的原因。

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