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Downgrade Flash产生的原因主要是由以下现象产生：

1、晶圆Wafer是圆片，而切割的Die是方形的，这样必然有些边角余料被剩下，这是产Downgrade Flash的一个主要部分。

2、在切割的过程中，工艺控制不良，会在Wafer上产生一些裂缝，这对后续的温度性能影响很大。

3、在Flash制程更换是，nm级别越来越低，二手摄像头芯片，难免有部分光照不良的die，这些也将成为Downgrade Flash。

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导致这一问题出现，三星电子无线事业部总裁 DJ Koh表示，“从结论上来看，Galaxy Note7燃损的原因在于电池。我们为了追求创新与卓越的设计，就Galaxy Note7电池设置了规格和标准，而这种电池在设计与制造过程中存在的问题， 我们未能在Note7发布之前发现和证实，对此我们感到非常痛心和抱歉”。

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