离子镀膜机

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广东 佛山
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  • 真空镀膜设备
  • 真空镀膜电源
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商品详细描述

磁控靶边缘溅射率的可控性是磁控靶设计的重要因素。从靶的利用

率的角度来看,理想情况是在整个靶的范围有相同的刻蚀率。在通常情

况下,需要通过改进靶的磁场设计,如采用多磁极磁场系统或非平衡磁

场系统或其他方式,扩展靶的均匀溅射刻蚀区域(见图 员猿鄄员圆),加强靶

边缘的刻蚀率来减少所对应基片区域膜层沉积通量的下降率。有时为了

抵消强化靶边缘刻蚀所造成的整体靶材利用率的降低。



靶的刻蚀速率及其深度正比于等离子体的浓度,离子镀膜机报价,也即正比于从靶面

发射的二次电子与中性原子的离化碰撞频率 灶藻σ(增藻)增藻,其中 灶藻 是电子

浓度,它正比于电子的耘 伊 月漂移速度,σ(增藻)是工作气体原子的电离截

面,增藻 为电子速度。研究发现,电子的平均动能基本保持恒定(即 增藻 基

本不变)。因此当靶面各处电子产生和消亡的速率平衡时,浙江省离子镀膜机,根据电子沿

跑道流动的连续性,灶藻 与电子的 耘 伊 月 漂移速度成反比。电子的 耘 伊 月

漂移速度越小,靶面的刻蚀速率越大。



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