离子镀膜机

磁控靶边缘溅射率的可控性是磁控靶设计的重要因素。从靶的利用

率的角度来看，理想情况是在整个靶的范围有相同的刻蚀率。在通常情

况下，需要通过改进靶的磁场设计，如采用多磁极磁场系统或非平衡磁

场系统或其他方式，扩展靶的均匀溅射刻蚀区域（见图 员猿鄄员圆），加强靶

边缘的刻蚀率来减少所对应基片区域膜层沉积通量的下降率。有时为了

抵消强化靶边缘刻蚀所造成的整体靶材利用率的降低。

靶的刻蚀速率及其深度正比于等离子体的浓度，离子镀膜机报价，也即正比于从靶面

发射的二次电子与中性原子的离化碰撞频率 灶藻σ（增藻）增藻，其中 灶藻 是电子

浓度，它正比于电子的耘 伊 月漂移速度，σ（增藻）是工作气体原子的电离截

面，增藻 为电子速度。研究发现，电子的平均动能基本保持恒定（即 增藻 基

本不变）。因此当靶面各处电子产生和消亡的速率平衡时，浙江省离子镀膜机，根据电子沿

跑道流动的连续性，灶藻 与电子的 耘 伊 月 漂移速度成反比。电子的 耘 伊 月

漂移速度越小，靶面的刻蚀速率越大。

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